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返回MCR型SVC高壓動(dòng)態(tài)補償裝置
裝置簡(jiǎn)介:
我公司生產(chǎn)的KR-MSVC磁控式動(dòng)態(tài)無(wú)功補償裝置是一種基于磁飽的原理和磁閥技術(shù)。通過(guò)改變控制繞組中直流電流大小來(lái)改變鐵芯的磁飽和度,進(jìn)而改變等效磁導率以實(shí)現連續可調節系統無(wú)功功率、控制工頻過(guò)電壓、提高系統穩定性的無(wú)功調節裝置。主要解決用于長(cháng)距離重載線(xiàn)路限制過(guò)電壓和無(wú)功補償的矛盾,在大程度上保持系統電壓的穩定性,減少系統網(wǎng)損,提高電網(wǎng)輸送能力。該裝置與電容器組合可以提供正負連續可調的無(wú)功功率,可以更準確的控制系統電壓和無(wú)功功率,減少了由于電容器分組投切帶來(lái)的沖擊和涌流,可以大大的提高設備的使用壽命??芍睊旄邏?、高壓電網(wǎng),是現有無(wú)功補償裝置升級換代產(chǎn)品。勵磁系統采用光觸發(fā)方式,主回路與控制回路隔離性能好,具有較強的抗干擾能力。數字系統采用全數字控制系統,響應時(shí)間快,可靠性高。
技術(shù)特點(diǎn)
1.容量連續可調;磁控電抗器容量調節范圍可在容量的1-100﹪范圍內任意快速、連續可調;
2.響應速度快:創(chuàng )新的快速磁反轉技術(shù)是新一代高壓磁控電抗器的響應速度大幅度提高:空載到額定容量,或額定到空載容量過(guò)渡過(guò)程時(shí)間為20ms-60ms;
產(chǎn)生諧波低:優(yōu)化多級磁閥飽和技術(shù),使磁控電抗器整個(gè)容量調節范圍的總諧波含量不超過(guò)電抗器額定電流的2.3﹪;
3.噪聲低:磁控管電抗器各項性能指標與普通電力電壓器指標基本相當。
損耗?。邯毺氐拇砰y結構和先進(jìn)的制造工藝,使電抗器額定輸出容量下的有功損耗在0.5﹪(大容量)-1.2﹪(小容量)之間,平均損耗為0.3﹪(大容量)-0.7﹪(小容量)之間;
4.占地面積?。捍趴仉娍蛊鞒叽缗c安裝方式與同容量電力變壓器基本相同,控制晶閘管箱客戶(hù)外安裝,體積小,自然風(fēng)冷卻;
5.免維護:油浸或環(huán)氧澆注干式磁控電抗器的維護與普通電力變壓器相同,適合無(wú)人值守變壓站需要。晶閘管箱產(chǎn)生熱量小,自然風(fēng)冷卻,可靠性高,免維護。